STD80N4F6数据手册ST中文资料规格书
STD80N4F6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Low gate charge
• Very low on-resistance
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STD80N4F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.006
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：36
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
DPAK |
22048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST |
22+23+ |
TO-252 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST |
24+ |
NA |
20000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-252-3 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST |
22+ |
NA |
5000 |
原装 渠道优势 实单联系 |
询价 | ||
原装 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
原装特价STD80N4F6即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 |
