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STD6N95K5中文资料N沟道950 V、1 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STD6N95K5

功能描述

N沟道950 V、1 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-18 20:00:00

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STD6N95K5规格书详情

描述 Description

这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

特性 Features

• 采用DPAK封装,额定电压为950 V,具有全球领先的 RDS(on)
• 全球出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护

技术参数

  • 制造商编号

    :STD6N95K5

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :950

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :1.25

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :9

  • PTOT_max(W)

    :90

  • Qg_typ(nC)

    :13

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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