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STD65N3LLH5规格书详情
描述 Description
This STripFET™V Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class figure of merit.
特性 Features
• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• Very low switching gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
技术参数
- 制造商编号
：STD65N3LLH5
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0093
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0069
- Drain Current (Dc)_max(A)
：65
- PTOT_max(W)
：50
- Qg_typ(nC)
：8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
6968 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
996880 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
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ST |
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ST |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
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ST(意法) |
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ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
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