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STD64N4F6AG中文资料汽车级N沟道40 V、7 mOhm典型值、54 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD64N4F6AG规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD64N4F6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0082
- Drain Current (Dc)_max(A)
：54
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：44
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST/意法 |
20+ |
TO-252 |
2500 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
24+ |
6 |
询价 | |||||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST/ |
24+ |
SOT252 |
12000 |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
询价 | ||
ST/ |
24+ |
SOT252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 |
