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STD64N4F6AG规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD64N4F6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0082
- Drain Current (Dc)_max(A)
：54
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：44
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ST/意法 |
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TO-252 |
2500 |
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ST/意法半导体 |
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20000 |
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