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STD64N4F6AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级N沟道40 V、7 mOhm典型值、54 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装 This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified \n• Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;	ST 意法半导体	ST
STD64N4F6AG	文件：471.18 Kbytes Page：15 Pages	Very low on-resistance 文件：471.18 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD6NF10T4	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252	ST 上传：深圳市轩嘉盛电子有限公司	ST
STD70N02L	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252	ST 上传：深圳市轩嘉盛电子有限公司	ST
STD7N80K5	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO252	ST 上传：深圳市纳艾斯科技有限公司	ST

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更多STD64N4F6AG供应商更新时间2025-10-4 14:14:00