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STD6N60DM2中文资料N沟道600 V、0.95 Ohm典型值、5 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD6N60DM2规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD6N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.1
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：6.2
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：60
- Qrr_typ(nC)
：135
- Peak Reverse Current_nom(A)
：4.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
DPAK-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
DPAK-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
DPAK-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
DPAK-3 |
20000 |
原装 品质保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
DPAK-3 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
STM |
19+ |
2500 |
TO-252-3 (DPAK) |
询价 | |||
STM |
19+ |
TO-252-3 (DPAK) |
2500 |
15年光格 只做原装正品 |
询价 |
