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STD52P3LLH6中文资料P沟道30 V、0.01 Ohm典型值、52 A STripFET H6功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD52P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD52P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.017
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.012
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-52
- PTOT_max(W)
：100
- Qg_typ(nC)
：33
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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