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STD35P6LLF6中文资料P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STD35P6LLF6

功能描述

P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 21:31:00

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STD35P6LLF6规格书详情

描述 Description

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

特性 Features

• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss

技术参数

  • 制造商编号

    :STD35P6LLF6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :-60

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.036

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.028

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :-35

  • PTOT_max(W)

    :70

  • Qg_typ(nC)

    :30

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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