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STD30NF06LAG数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

STD30NF06LAG

参数属性

STD30NF06LAG 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

功能描述

汽车级N沟道60 V、22 mOhm典型值、35 A STripFET II功率MOSFET,DPAK封装
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-9 11:04:00

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STD30NF06LAG规格书详情

描述 Description

This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET™ process is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore ideal as a primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for Telecom and Computer applications. It is also suitable for any application with low gate charge drive requirements.

特性 Features

• AEC-Q101 qualified
• Low threshold drive
• Gate charge minimized

简介

STD30NF06LAG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STD30NF06LAG晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STD30NF06LAG

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS(V)

    :60

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.03

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.028

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :35

  • PTOT_max(W)

    :70

  • Qg_typ(nC)

    :23

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