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STD30NF06中文资料N沟道60V - 0.020 Ohm - 28A - DPAK StripFET(TM) II功率MOSFET数据手册ST规格书

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厂商型号

STD30NF06

参数属性

STD30NF06 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

功能描述

N沟道60V - 0.020 Ohm - 28A - DPAK StripFET(TM) II功率MOSFET
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-24 16:03:00

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STD30NF06规格书详情

描述 Description

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique \\\"Single Feature SizeTM\\\" stripbased process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

特性 Features

• TYPICAL RDS(on) = 0.020Ω
• 100% AVALANCHE TESTED
• EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
• SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4\\\")
• THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1\\\")

简介

STD30NF06属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由ST制造生产的STD30NF06晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STD30NF06

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS(V)

    :60

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.028

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :28

  • PTOT_max(W)

    :70

  • Qg_typ(nC)

    :43

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