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STD30NF06LT4规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.
特性 Features
• Low threshold drive
• Gate charge minimized
技术参数
- 制造商编号
：STD30NF06LT4
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.028
- Drain Current (Dc)_max(A)
：35
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：23
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