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STD30NF06L	文件：461.99 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STripFET??POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD30NF06L	文件：1.18926 Mbytes Page：6 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralDescription TheSTD30NF06usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
STD30NF06L	文件：1.12765 Mbytes Page：6 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralDescription TheSTD30NF06usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnolo	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
STD30NF06LAG	文件：721.03 Kbytes Page：15 Pages	Automotive-grade N-channel 60 V, 0.022 Ω typ., 35 A STripFET™ II Power MOSFET in a DPAK package Features AEC-Q101qualified Lowthresholddrive Gatechargeminimized Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwith STMicroelectronicsuniqueSTripFET™process isspecificallydesignedtominimizeinput capacitanceandgatecharge.Itisthereforeideal asaprimaryswitchin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD30NF06LT4	文件：461.99 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STripFET??POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD30NF06L-1	文件：963.83 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD30NF06LT4	文件：898.97 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD30NF06LAG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 60V 28A DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD30NF06L
功能描述：
MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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