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STD30NF06分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

STD30NF06

参数属性

STD30NF06 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

功能描述

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

1.18926 Mbytes

页面数量

6

生产厂商

UMW

中文名称

友台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 12:00:00

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STD30NF06规格书详情

General Description

The STD30NF06 uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.

It can be used in a wide variety of applications.

特性 Features

VDS = 60V,ID =30A

RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V

RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V

Advanced Trench Technology

Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge

Lead free product is acquired

Application

Load Switch

PWM Application

Power management

产品属性

  • 产品编号:

    STD30NF06LAG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    STripFET™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    35A(Tc)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 描述:

    MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
2511
TO-252
360000
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