| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
STD30N10 | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件:139.31 Kbytes 页数:10 Pages | SAMHOP 三合微科 | SAMHOP | |
STD30N10 | Mosfets | Samhop 三合微科 | Samhop | |
丝印:DPAK;Package:TO-252;isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:324.52 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
丝印:30N10F7;Package:DPAK;N-channel 100 V, 0.02 廓 typ., 32 A STripFET??F7 Power MOSFET in a DPAK package 文件:1.06865 Mbytes 页数:16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件:984.78 Kbytes 页数:8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件:862.08 Kbytes 页数:4 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | ||
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。\n • 处于市面上最低的RDS(on) 行列\n• 出色的品质因数(FoM)• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力\n• 坚固的抗雪崩能力; | ST 意法半导体 | ST |
技术参数
- Package:
DPAK
- Grade:
Industrial
- VDSS(V):
100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):
0.024
- Drain Current (Dc)_max(A):
35
- PTOT_max(W):
50
- Qg_typ(nC):
19
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
24+ |
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ST |
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