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STD30N10F7中文资料N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package数据手册ST规格书
STD30N10F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STD30N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.024
- Drain Current (Dc)_max(A)
：35
- PTOT_max(W)
：50
- Qg_typ(nC)
：19
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
21+ |
TO-252 |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
25+ |
N/A |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO252 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
STM |
22+ |
TO-252 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原装正品现货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3704 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |
