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STD25NF10	文件：437.02 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 100V - 0.033ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET??POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandComputerapp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD25NF10L	文件：451.74 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET??II POWER MOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomand	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD25NF10LA	文件：656.37 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100 V, 0.030 廓, 25 A DPAK STripFET??II Power MOSFET Description ThisPowerMOSFEThasbeendevelopedusingSTMicroelectronics’uniqueSTripFETprocess,whichisspecificallydesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Thisrendersthedevicesuitableforuseasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconvertersfor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD25NF10LA	文件：329.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD25NF10LA	文件：858.34 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=100V,ID=40A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
STD25NF10LT4	文件：432.72 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 100V - 0.030Ohm - 25A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomand	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD25NF10LA	文件：984.89 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD25NF10T4	文件：984.82 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
STD25NF10
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
MOSFET N D-PAK

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更多STD25NF10供应商更新时间2025-7-14 16:36:00

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