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特性 Features
VDS= 100V, ID= 40 A
RDS(ON) < 17mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) < 22 mΩ @ VGS =4.5V
General Features
● Advanced Trench Technology
● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate
Charge
● Lead Free and Green Available
产品属性
- 型号：
STD25NF10LA
- 功能描述：
MOSFET 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
10000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-252-3 |
16900 |
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询价 | ||
ST |
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N/A |
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ST(意法) |
25+ |
TO-252-3 |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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ST |
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TO-252 |
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STM |
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TO252-3 |
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ST |
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TO-252 |
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ST/意法半导体 |
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TO-252-3 |
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