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STD25NF10L	文件：451.74 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET??II POWER MOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomand	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD25NF10LA	文件：656.37 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100 V, 0.030 廓, 25 A DPAK STripFET??II Power MOSFET Description ThisPowerMOSFEThasbeendevelopedusingSTMicroelectronics’uniqueSTripFETprocess,whichisspecificallydesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Thisrendersthedevicesuitableforuseasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconvertersfor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD25NF10LA	文件：329.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD25NF10LA	文件：858.34 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=100V,ID=40A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
STD25NF10LT4	文件：432.72 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 100V - 0.030Ohm - 25A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomand	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD25NF10LA	文件：984.89 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
STD25NF10L
功能描述：
MOSFET 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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