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STD19NE06L	文件：90.74 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.038 ohm - 19A - TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD19NE06	文件：306.4 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL60V-0.042W-19AIPAK/DPAKSTripFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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N - CHANNEL 60V - 0.038 ohm - 19A - TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STD19NE06

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N-CHANNEL60V-0.042W-19AIPAK/DPAKSTripFETPOWERMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD19NE06L
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	STD19NE06L	ST	23+	TO-252	8795		询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	STD19NE06L	ST/意法	23+	TO-251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多STD19NE06L供应商更新时间2025-5-1 17:59:00

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