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STD19NE06L规格书详情
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ strip based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.038 Ω
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ LOW GATE CHARGE
■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1)
■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4)
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ SOLENOID AND RALAY DRIVERS
■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
产品属性
- 型号：
STD19NE06L
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
10 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
80000 |
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询价 | ||
ST |
10+ |
TO-252 |
2167 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST |
23+ |
TO-252 |
8795 |
询价 | |||
ST |
24+ |
SOT-252 |
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ST/意法 |
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TO-252 |
880000 |
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ST/意法 |
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ST |
23+ |
TO-252 |
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