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STD20N20T4	文件：405.53 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET DESCRIPTION This MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters. General Features ■ TYPICAL RDS( 文件：405.53 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STD20NF06LT4MOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ST/意法上传：深圳庞田科技有限公司	ST/意法
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详细参数

型号：
STD20N20T4
功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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