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STD16N60M6中文资料N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD16N60M6规格书详情
描述 Description
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
特性 Features
• Reduced switching losses
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD16N60M6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.32
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：16.7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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TO-252-3 |
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STMICROELECTRONICS |
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ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
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