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STD16N50M2中文资料N沟道500 V、0.24 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD16N50M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD16N50M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：500
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.28
- Drain Current (Dc)_max(A)
：13
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：19.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
50 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
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STMICROELECT |
21+ |
NA |
60000 |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST/意法 |
20+ |
TO-252 |
55000 |
询价 | |||
ST |
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原厂封装 |
50000 |
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STMicroelectronics |
21+ |
TO-252,(D-Pak) |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
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询价 | ||
ST |
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TO252 |
50 |
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询价 |
