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STD15P6F6AG规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD15P6F6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：-60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-10
- PTOT_max(W)
：35
- Qg_typ(nC)
：6.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
10280 |
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TECH PUBLIC(台舟) |
24+ |
TO-252 |
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ST |
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TO-252 |
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ST |
21+ |
TO-252-3 |
2500 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-252-3 |
10000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
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询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-252-3 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
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TO-252-3 |
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STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
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