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STD155N3LH6中文资料N沟道30 V、0.0024 Ohm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STD155N3LH6

功能描述

N沟道30 V、0.0024 Ohm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,DPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:50:00

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STD155N3LH6规格书详情

描述 Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

特性 Features

• 100% avalanche tested
• Logic level drive

技术参数

  • 制造商编号

    :STD155N3LH6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS(V)

    :30

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.004

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.003

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :80

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :40

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