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STD14NM50N中文资料Automotive-grade N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package数据手册ST规格书
STD14NM50N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STD14NM50N
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：500
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.32
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：90
- Qg_typ(nC)
：27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
TO-252 |
1390 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO252 |
7350 |
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STMicroelectronics |
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DPAK |
2500 |
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ST |
TO-252 |
22+ |
10000 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3395 |
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STM |
2016+ |
TO-252 |
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ST/意法 |
25+ |
TO252 |
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STM |
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TO252 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-252 |
20000 |
只做原装,质量保证 |
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