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STF13NM60ND	文件：1.55172 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.32typ.,11A,FDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode)inDPAK Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF13NM60N-H	文件：791.51 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V,0.28廓,11AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220FP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI13NM60N	文件：782.35 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.28廓,11AMDmesh??IIPowerMOSFETinI짼PAKFPpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitabl	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STI13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.28ohmtyp.,11AMDmeshIIPowerMOSFETinTO-220FP,I2PAK,TO-220,IPAK,TO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STI13NM60N	文件：334.4 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=360mΩ(Max) •100avalanchetested •Lowinputcapacitanceandgatecharge •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandrelia	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STL13NM60N	文件：835.94 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V,0.320廓,10APowerFLAT??(8x8)HVMDmesh??IIPowerMOSFET Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitabl	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.28ohmtyp.,11AMDmeshIIPowerMOSFETinTO-220FP,I2PAK,TO-220,IPAK,TO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP13NM60N	文件：318.25 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP13NM60ND	文件：1.55172 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.32typ.,11A,FDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode)inDPAK Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP13NM60ND	文件：327.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
STD13NM60N
功能描述：
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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