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STD12NF06T4规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique \\\"single feature size\\\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
特性 Features
• Exceptional dv/dt capability
• Low gate charge
技术参数
- 制造商编号
：STD12NF06T4
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.1
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：30
- Qg_typ(nC)
：10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO252 |
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原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
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TO-252-3 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-252 |
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ST/意法半导体 |
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