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STD12N65M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD12N65M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：85
- Qg_typ(nC)
：16.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST/意法 |
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N/A |
14280 |
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ST |
22+23+ |
TO252 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO252 |
9000 |
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STMicroelectronics |
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原厂原包装 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
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STMicroelectronics |
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DPAK |
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ST(意法) |
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NA/ |
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ST/意法半导体 |
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ST |
19+ |
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1790 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
