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STD12NF06L-1中文资料N沟道60 V、0.08 Ohm典型值、12 A STripFET II功率MOSFET，IPAK封装数据手册ST规格书
STD12NF06L-1规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET™ process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.
特性 Features
• Exceptional dv/dt capability
• Low gate charge
技术参数
- 制造商编号
：STD12NF06L-1
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.12
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.1
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：30
- Qg_typ(nC)
：7.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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ST/意法 |
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TO-251 |
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