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STD11NM60N-1中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD11NM60N-1规格书详情
描述 Description
This series of devices is designed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STD11NM60N-1
- 功能描述：
MOSFET N Ch 600V 0.37 Ohm 10A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
20 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
STM |
25+ |
TO-252 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268577邹小姐 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2021+ |
TO-252-3 |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO252DPAK |
8866 |
询价 |
