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STD10P10F6中文资料P沟道100 V、0.136 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD10P10F6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD10P10F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.18
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-10
- PTOT_max(W)
：40
- Qg_typ(nC)
：16.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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