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STP10NM60N	文件：907.61 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V,0.53ohm,10A,DPAK,TO-220,TO-220FP,IPAKMDmeshIIPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channel600VPowerMOSFETrealizedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ItappliesthebenefitsofthemultipledrainprocesstoSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproductoffersimprovedon-resistanc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10NM60N	文件：300.92 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP10NM60ND	文件：1.10772 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP10NM60ND	文件：300.89 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP10NM60ND	文件：1.2278 Mbytes Page：19 Pages	N-channel600V,0.57,8A,DPAK,TO-220FP,TO-220FDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode) Description ThisFDmesh™IIPowerMOSFETwithintrinsicfast-recoverybodydiodeisproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,thisrevolutionarydevicefeaturesextremelylowonresistanceandsuperiorswitchingperformance.Itis	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU10NM60N	文件：290.58 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU10NM60N	文件：907.61 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V,0.53ohm,10A,DPAK,TO-220,TO-220FP,IPAKMDmeshIIPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channel600VPowerMOSFETrealizedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ItappliesthebenefitsofthemultipledrainprocesstoSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproductoffersimprovedon-resistanc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
DPAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
600
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.55
Drain Current (Dc)_max(A)：
10
PTOT_max(W)：
70
Qg_typ(nC)：
19

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更多STD10NM60供应商更新时间2025-7-30 10:25:00

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