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STU10NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel 600 V Power MOSFET realized using the second generation of MDmesh™ technology. It applies the benefits of the multiple drain process to STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product offers improved on-resistance, low gate charge, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
Switching applications
产品属性
- 型号：
STU10NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
30 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-251-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-251-3 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-251-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
STMICROEL |
23+ |
NA |
12411 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-251 |
15359 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-251-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-251-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO-251 |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-251 |
7845 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
