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STBV35150C6	文件：1.49783 Mbytes Page：9 Pages	Gallium Nitride 50V, 150W, 0.1-3.5GHz RF Power Transistor Description The STBV35150C6 is a 150watt, GaN HEMT, ideal for general applications from 0.1 to 3.5GHz. It features high gain, wide band and low cost, in 10*6mm plastic open cavity package, enabling surface mounted on PCB through grounding vias or soldered on heatsink directly. It is a highly c 文件：1.49783 Mbytes 页数：9 Pages	INNOGRATION 远创达	INNOGRATION
STC10F04XE	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP44	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	STC
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更多STBV35150C6供应商更新时间2026-1-28 16:08:00