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STBV32G-AP	文件：217.18 Kbytes Page：11 Pages	丝印：BV32G；Package：TO-92AP；High voltage fast-switching NPN power transistor Features ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic parameters ■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation ■ Very high switching speed Applications ■ Compact fluorescent lamps (CFLS) ■ SMPS for battery charger Description The device is manufactured using high voltage mu 文件：217.18 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STBV32_05	文件：258.12 Kbytes Page：9 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：258.12 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STBV32-AP	文件：258.12 Kbytes Page：9 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：258.12 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STBV32	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR • High voltage capability\n• Minimum lot-to-lot spread for reliable operation• Low spread of dynamic parameters\n• Very high switching speed;	ST 意法半导体	ST
STBV32A3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	Cystek 全宇昕科技	Cystek
STBV32B-TO92	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	Willas 威伦电子	Willas
STBV32-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STBV32G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STBV32G-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Marketing Status：
NRND
Grade：
Industrial
Transistor Polarity：
NPN
Collector-Emitter Voltage_nom(V)：
700
Collector-Emitter Voltage_max(V)：
400
Collector-Base Voltage_max(V)：
700
Collector Current_max(A)：
1
Collector Current_abs_max(A)：
1
Dc Current Gain_min：
5
Dc Current Gain_max：
25
Test Condition for hFE (IC)：
1
Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)：
2
VCE(sat)_max(V)：
1
Test Condition for VCE(sat) - IC：
1
Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)：
250

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