STBV32数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
STBV32 |
| 参数属性 | STBV32 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3 |
| 功能描述 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-18 13:10:00 |
| 人工找货 | STBV32价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STBV32规格书详情
特性 Features
• High voltage capability
• Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
• Low spread of dynamic parameters
• Very high switching speed
简介
STBV32属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的STBV32晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：STBV32
- 生产厂家
：ST
- Marketing Status
：NRND
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：NPN
- Collector-Emitter Voltage_nom(V)
：700
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：400
- Collector-Base Voltage_max(V)
：700
- Collector Current_max(A)
：1
- Collector Current_abs_max(A)
：1
- Dc Current Gain_min
：5
- Dc Current Gain_max
：25
- Test Condition for hFE (IC)
：1
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：2
- VCE(sat)_max(V)
：1
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：1
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：250
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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