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STB8NM60T4中文资料N-channel 600 V, 0.9 Ohm typ., 8 A MDmesh Power MOSFET in a D2PAK package数据手册ST规格书
STB8NM60T4规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET is developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH horizontal layout. This device offers extremely low on-resistance, high dv/dt, and excellent avalanche characteristics. Using STMicroelectronics's proprietary strip technique, this Power MOSFET boasts an overall dynamic performance that is superior to similar products on the market.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 型号：
STB8NM60T4
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 650 Volt 5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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