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STB80NF55L-08-1中文资料N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A - I2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET数据手册ST规格书
STB80NF55L-08-1规格书详情
描述 Description
This Power Mosfet is the latest development of STMicroelectronics unique \\\"Single Feature Size\\\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
特性 Features
TYPICAL R
DS(on) = 0.0065
LOGIC LEVEL DEVICE
LOW THRESHOLD DRIVE
技术参数
- 型号：
STB80NF55L-08-1
- 功能描述：
MOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
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I2PAK |
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