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STB80NF55L-08-1规格书详情
描述 Description
This Power Mosfet is the latest development of STMicroelectronics unique \\\"Single Feature Size\\\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
特性 Features
TYPICAL R
DS(on) = 0.0065
LOGIC LEVEL DEVICE
LOW THRESHOLD DRIVE
技术参数
- 型号:
STB80NF55L-08-1
- 功能描述:
MOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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