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STB80NF55-06T中文资料N沟道55 V、5 mOhm、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB80NF55-06T规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET series has been developed using STMicroelectronics' unique STripFET™ process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Exceptional dv/dt capability
• 100% avalanche tested
• Low gate charge
技术参数
- 制造商编号
：STB80NF55-06T
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：55
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0065
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：300
- Qg_typ(nC)
：142
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