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STB7ANM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STB7ANM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.9
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：45
- Qg_typ(nC)
：14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
1927+ |
TO263 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
16900 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
4080 |
只做正品 |
询价 | ||||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-263-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 |
