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STB7ANM60N中文资料N沟道600 V、5 A、0.84 Ohm典型值MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STB7ANM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STB7ANM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.9
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：45
- Qg_typ(nC)
：14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2517+ |
TO-263 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
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SST |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
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ST |
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TO-252 |
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