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STB80NF55L-06规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique \\\"Single Feature SizeTM\\\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
特性 Features
• TYPICAL RDS(on) = 0.005 Ω
• LOGIC LEVEL DEVICE
• LOW THRESHOLD DRIVE
• SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263) POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)
技术参数
- 制造商编号
：STB80NF55L-06
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：55
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0065
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：300
- Qg_typ(nC)
：100
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO263 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
16960 |
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询价 | ||
STM |
NA |
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询价 | |||
ST |
24+ |
N/A |
90000 |
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询价 |
