STB8N90K5中文资料N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB8N90K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数（FoM）
• 极低的栅极电荷
• 经过100％雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STB8N90K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：900
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.68
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：130
- Qg_typ(nC)
：11
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
8080 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
TO-263-3 |
6000 |
原厂原装 欢迎询价 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-263-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
TO-263-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 |
