isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.68Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：295.1 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Zener-protected

文件：894.66 Kbytes 页数：15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装

这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 业界领先的低 RDS(on) x 面积 \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 8.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) -RDS(on) = 0.68Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：319.84 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel 900 V, 0.60 廓 typ., 8 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

文件：711.2 Kbytes 页数：13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 900 V, 0.60 廓 typ., 8 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a TO-220 package

文件：707.57 Kbytes 页数：13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体