STB8N90K5

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.68Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

STB8N90K5

N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装; • 业界领先的低 RDS(on) x 面积 \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。\n\n

STB8N90K5

Zener-protected

STF8N90K5

N-channel900V,0.60廓typ.,8AMDmesh??K5PowerMOSFETinaTO-220FPpackage

STP8N90K5

N-channel900V,0.60廓typ.,8AMDmesh??K5PowerMOSFETinaTO-220package

STW8N90K5

Switchingapplications