STB8NM60D数据手册ST中文资料规格书
STB8NM60D规格书详情
特性 Features
• High dv/dt and avalanche capabilities
• Low input capacitance and gate charge
• 100% avalanche rated
• Fast internal recovery diode
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STB8NM60D
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：100
- Qg_typ(nC)
：15
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-263-3 |
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ST |
10+ |
TO263-3 |
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ST/意法 |
24+ |
D2PAK |
3800 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
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STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
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