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TQS5200	文件：432.59 Kbytes Page：8 Pages	SPDTSwitchforSingle-bandandDual-band,802.11a/b/gSystems GeneralDescription TheTQS5200isahighpower,single-poledouble-throwswitchconfiguredforTX-RXorAntennaDiversityswitchingapplicationsfortheWLANmarket.Thedeviceexhibitsindustry-leadinginsertionloss,isolationandpowerhandling. ProductFeatures •IntegratedSPDTSwitchfor	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TQS5200	文件：415.4 Kbytes Page：7 Pages	802.11a/b/gSingle/Dual-bandSPDTSwitch	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TQS5200-PCB	文件：415.4 Kbytes Page：7 Pages	802.11a/b/gSingle/Dual-bandSPDTSwitch	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TSFF5200	文件：87.1 Kbytes Page：6 Pages	HighSpeedIREmittingDiodeinø5mm(T–13/4)Package DESCRIPTION TSFF5210isaninfrared,870nmemittingdiodeinGaAlAsdoublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerandhighspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-13/4 •Dimensions(inmm):Ø5 •Leadswithstand-off •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHA5200	文件：107.43 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode Description TheTSHA520.seriesarehighefficiencyinfraredemittingdiodesinGaAlAsonGaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplasticpackage. IncomparisonwiththestandardGaAsonGaAstechnologythesehighintensityemittersfeatureabout70radiantpowerimprovement. Features	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHA5200	文件：114.26 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,875nm,GaAlAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHA5200	文件：122.99 Kbytes Page：6 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHA5200	文件：89.15 Kbytes Page：6 Pages	GaAlAsInfraredEmittingDiodesinø5mm(T–13/4)Package Description TheTSHA520.seriesarehighefficiencyinfraredemittingdiodesinGaAlAsonGaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplasticpackage. IncomparisonwiththestandardGaAsonGaAstechnologythesehighintensityemittersfeatureabout70radiantpowerimprovement. Features	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHA5200	文件：105.78 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,875nm,GaAlAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHA5200	文件：105.06 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,875nm,GaAlAs DESCRIPTION TheTSHA520.seriesareinfrared,875nmemittingdiodesin GaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplastic package. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Leadswithstand-off •Peakwavelength:λp=875nm •Highreliabilit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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