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STB50N65DM6规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB50N65DM6
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.091
- Drain Current (Dc)_max(A)
：33
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：52.5
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：130
- Qrr_typ(nC)
：650
- Peak Reverse Current_nom(A)
：10
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