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STB4NK60Z-1中文资料N沟道600 V、1.7 Ohm典型值、4 A SuperMESH功率MOSFET，I2PAK封装数据手册ST规格书
STB4NK60Z-1规格书详情
描述 Description
This high-voltage device is a Zener-protected N-channel Power MOSFET developed using the SuperMESH technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB4NK60Z-1
- 生产厂家
：ST
- Package
：I2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：2
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：18.8
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：400
- Peak Reverse Current_nom(A)
：8.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法半导体 |
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