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STB47N60DM6AG数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
STB47N60DM6AG |
| 参数属性 | STB47N60DM6AG 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V |
| 功能描述 | 汽车级N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装 |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 23:16:00 |
| 人工找货 | STB47N60DM6AG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STB47N60DM6AG规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fastrecovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Lower R
DS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
简介
STB47N60DM6AG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STB47N60DM6AG晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STB47N60DM6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.08
- Drain Current (Dc)_max(A)
：36
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：55
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：115
- Qrr_typ(nC)
：540
- Peak Reverse Current_nom(A)
：9.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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ST/意法半导体 |
25+ |
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ST |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO-263-3 |
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ST |
24+ |
TO-263 |
580 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
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STMicroelectronics |
21+ |
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1000 |
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