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STB47N60DM6AG	文件：632.39 Kbytes Page：15 Pages	Automotive-grade N-channel 600 V, 70 m typ., 36 A MDmesh™ DM6 Power MOSFET in a D2PAK package Features •AEC-Q101qualified •Fast-recoverybodydiode •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETis	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB47N60DM6AG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STHU47N60DM6AG	文件：673.15 Kbytes Page：15 Pages	Automotive-gradeN-channel600V,70m廓typ.,36AMDmeshDM6PowerMOSFETinanHU3PAKpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STI47N60DM6AG	文件：452.26 Kbytes Page：13 Pages	Automotive-gradeN-channel600V,70mtyp.,36AMDmeshTMDM6PowerMOSFETinanI²PAKpackage Features •AEC-Q101qualified •Fast-recoverybodydiode •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETis	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STB47N60DM6AG
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
D²PAK（TO-263）
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

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